Хостинг от HOST PROM - это надежное место для Ваших проектов !

 


«МАТИ»-РГТУ

им. К. Э. Циолковского

 

 

 

 

тема:«Определение параметров p-n перехода»

 

 

 

 

 

 

Кафедра: "Xxxxxxxxxx xxxxxxxxxx

        xxxxxxxxxxxxxxxx"

 

 

 

 

 

 

 

Курсовая работа

 

 

 

 

 

 

 

студент Хxxxxxxx X. X.       группаXX-X-XX

 

дата сдачи

 

оценка

 

                             

     

 

                                                                                                                                                                        

г. Москва2001 год

 

Оглавление:

 

1. Исходные данные

 

3

 

 

2. Анализ исходных данных

 

3

 

 

3. Расчет физических параметров p- и n- областей

 

3

 

 

а)эффективные плотности состояний для зоны проводимости и валентной зоны

3

 

 

 

 

б) собственнаяконцентрация

3

 

в) положение уровня Ферми

3

 

г) концентрации основных инеосновных носителей заряда

4

 

д) удельныеэлектропроводности p-и n-областей

4

 

е) коэффициенты диффузийэлектронов и дырок

4

 

ж) диффузионные длиныэлектронов и дырок

4

 

 

 

 

4. Расчет параметров p-n перехода

 

4

 

 

 

a) величина равновесного потенциальногобарьера

4

 

б) контактная разностьпотенциалов

4

 

в) ширина ОПЗ

5

 

г) барьерная ёмкость при нулевом смещении

5

 

д) тепловой обратный ток перехода

5

 

е) график ВФХ

5

 

ж) график ВАХ

6, 7

 

 

 

 

5. Вывод

 

7

 

6. Литература

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1. Исходные данные

1) материал полупроводника – GaAs

2) тип p-n переход– резкий и несимметричный

3) тепловой обратный ток () – 0,1 мкА

4) барьерная ёмкость () – 1 пФ

5) площадь поперечного сечения ( S ) – 1 мм2

6)физические свойства полупроводника

 

 

 

 

Ширина запрещенной зоны, эВ

Подвижность при 300К, м2×с

Эффективная масса

Время жизни носителей заряда, с

Относительная диэлектрическая проницаемость

 

электронов

Дырок

электрона mn/me

дырки mp/me

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,42-8

0,85-8

0,04-8

0,067-8

0,082-8

10-8

13,1-8

 

 

2. Анализ исходных данных

1. Материал легирующихпримесей:

а) S (сера) элемент VIA группы (не Me)

б) Pb (свинец) элемент IVA группы (Me)

2. Концентрации легирующих примесей: Nа=1017м -3,  Nд=1019м-3

3. Температура (T) постоянна и равна 300К (вся примесь уже ионизирована)

4.  – ширина запрещеннойзоны

5. ,  – подвижностьэлектронов и дырок 

6. ,  – эффективная массаэлектрона и дырки

7.  – время жизниносителей заряда

8.  – относительнаядиэлектрическая проницаемость

3. Расчет физических параметров p- и n- областей

а) эффективные плотности состояний для зоны проводимости ивалентной зоны

б) собственная концентрация

 

в) положение уровня Ферми

        (рис. 1)

 

      (рис. 2)

 

Eg

 

X

 

Ei

 

Ec

 

Ev

 

EF

 

Eg

 

EF

 

Ei

 

Ec

 

Ev

 

X

 

(рис. 1)

(рис. 2)

г) концентрации основных и неосновных носителей заряда

 

 

 

 



Страниц (2):  [1] 2

 


Быстрый хостинг
Быстрый хостинг - Скорость современного online бизнеса

 

Яндекс.Метрика

Load MainLink_Second mode.Simple v3.0:
Select now URL.REQUEST_URI: webknow.ru%2Fradioelektronika_00056.html
Char set: data_second: Try get by Socet: webknow.ru%2Fradioelektronika_00056.html&d=1
					  

Google

На главную Авиация и космонавтика Административное право
Арбитражный процесс Архитектура Астрология
Астрономия Банковское дело Безопасность жизнедеятельности
Биографии Биология Биология и химия
Ботаника и сельское хозяйство Бухгалтерский учет и аудит Валютные отношения
Ветеринария Военная кафедра География
Геодезия Геология Геополитика
Государство и право Гражданское право и процесс Делопроизводство
Деньги и кредит Естествознание Журналистика
Зоология Издательское дело и полиграфия Инвестиции
Иностранный язык Информатика, программирование Исторические личности
История История техники Кибернетика
Коммуникации и связь Косметология Краткое содержание произведений
Криминалистика Криптология Кулинария
Культура и искусство Культурология Литература и русский язык
Литература зарубежная Логика Логистика
Маркетинг Математика Медицина, здоровье
Международное публичное право Частное право Отношения
Менеджмент Металлургия Москвоведение
Музыка Муниципальное право Налоги
Наука и техника Новейшая история Разное
Педагогика Политология Право
Предпринимательство Промышленность Психология
Психология, педагогика Радиоэлектроника Реклама
Религия и мифология Риторика Сексология
Социология Статистика Страхование
Строительство Схемотехника Таможенная система
Теория государства и права Теория организации Теплотехника
Технология Транспорт Трудовое право
Туризм Уголовное право и процесс Управление
Физика Физкультура и спорт Философия
Финансы Химия Хозяйственное право
Цифровые устройства Экологическое право Экология
Экономика Экономико-математическое моделирование Экономическая география
Экономическая теория Этика Юриспруденция
Языковедение Языкознание, филология